第一步：拆封与环境准备
1. 超净环境操作：掩膜版对微尘极度敏感。所有拆封、检查和使用过程必须在百级/千级超净间内进行。任何微小的灰尘都会在光刻时变成“图形缺陷”。
2. 正确取放姿态：
1. 必须佩戴无尘手套（禁止裸手或佩戴有粉手套）。
2. 必须使用专用的光罩夹具/镊子，或双手捏住掩膜版的绝对边缘区域。
3. 严禁用手或工具接触主图形区。
3. 识别图形面（药膜面）：光刻时，必须明确哪一面是带有铬膜/乳胶的图形面（通常反射率较高、呈镜面效果）。通常需要将图形面朝向光刻胶。
第二步：对准与安装
根据光刻机或曝光设备的类型，选择对应的安装与对准方式：
方案 A：接触式/接近式光刻（实验室及常规工业常用）
1. 安装光罩：将掩膜版放入光刻机的光罩托架中，通过真空吸附或机械结构固定。
2. 对准基底：将涂有光刻胶的基底（如硅片）放在下方的样品台上。通过光刻机的双轴显微镜，调整基底的微动台，使基底上的对准标记与掩膜版上的对准标记严格重合。
3. 调整间隙：
1. 接触式：让掩膜版的图形面与光刻胶面直接紧密接触，以获得最高的分辨率。
2. 接近式：使两者保持微米级的微小悬空斜距，防止擦伤掩膜版。
方案 B：投影式光刻 / 步进式光刻（Stepper，半导体量产常用）
1. 将掩膜版装入自动光罩传输系统。
2. 曝光系统通过激光对准装置，自动捕捉掩膜版边缘的基准对齐孔，将其锁定在光学成像系统的焦点上。
第三步：曝光与图形转移
1. 参数设定：根据光刻胶的敏感波长（如常见 I-line 365nm、G-line 436nm、深紫外 DUV）和厚度，在曝光机上设定精准的曝光能量或曝光时间。
2. 光线穿透：启动曝光，紫外光穿透掩膜版的透明区域（如石英/玻璃底材），照射到光刻胶上；而有黑膜（如金属铬层）的区域则完全阻挡光线。
3. 后续处理：曝光完成后，取下基底进行显影，掩膜版上的图形便成功转移到了基底上。
第四步：卸载、清洁与封存
1. 及时卸载：曝光结束或批次生产完成后，应立即将掩膜版从设备中卸载，避免长时间暴露在光路中积累热量或承载静电。
2. 吹扫检查：使用高纯度氮气枪轻轻吹扫表面，去除可能粘附的光刻胶碎屑或微尘。
3. 安全避光封存：将掩膜版放入专用的抗静电防护盒内，并在黄光区（避开紫外线与日光）或干燥柜中竖立存放，防止膜层老化或霉变。 |
